精铟,二氧化锗,氧化铋,铋锭,硒粉,锗锭,锡锭

锗单晶的制备方法有两种：一种是直拉法，另一种是区熔匀平法。

①直拉法是将锗锭置于坩埚中熔化，然后用一固定在拉杆上的锗晶体作籽晶，垂直浸入温度略高于熔点的熔融锗中，以一定的速度从熔体向上拉出，熔融锗便按籽晶的结晶方向凝固。通过控制拉速、坩埚和籽晶转速等措施，以及自动控制炉温和单晶直径等技术，可以制成n型电阻率为 0.003～40欧姆•厘米、p型电阻率为0.002～40欧姆•厘米、位错密度为500～3000厘米-2、直径为20～300毫米的锗单晶。

②区熔匀平法所用的炉子为水平式石英管加热炉，能生产电阻率均匀的锗单晶，电阻率的径向均匀度为±3％，纵向均匀度为±7％，位错密度为103厘米^-2，单晶截面为5～12厘米^2。